Александр Степанович Бугаев родился 25 августа 1947
года в г. Горловка Сталинской (ныне — Донецкой) области Украинской ССР.
В 1971 году окончил факультет физической и квантовой
электроники Московского физико-технического института (МФТИ, Национальный
исследовательский университет). Далее в этом Институте — аспирант, ассистент
кафедры полупроводниковой электроники, доцент, профессор, заместитель
заведующего кафедрой твердотельной электроники и радиофизики, с 1999 года —
заведующий кафедрой вакуумной электроники. Одновременно с 1991 года — заведующий
лабораторией Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова (ИРЭ)
РАН, с 1996 года — заместитель директора государственного предприятия «НИИ
электронной и ионной оптики», руководитель Центра открытых систем и высоких
технологий МФТИ. Главный научный сотрудник управления научной и инновационной
деятельности Южно-Уральского государственного университета.
Профессор Департамента компьютерной инженерии МИЭМ
НИУ ВШЭ, профессор Санкт-Петербургского Государственного университета
аэрокосмического приборостроения (ГУАП).
Член-корреспондент РАН c 1994 года, академик РАН c
2000 года — Отделение нанотехнологий и информационных технологий.
Академик А.С. Бугаев — советский и российский физик,
ведущий специалист в области физики полупроводников, акусто- и спин-волновой
электроники, элементной базы приборов на основе молекулярно-электронного
переноса, разработки полупроводниковых и твердотельных приборов и устройств
сверхбыстрой обработки информации, информатики и математического моделирования.
В 1974 году защитил кандидатскую диссертацию «К
теории разогревных акустоэлектронных явлений в полупроводниках», в 1984 году защитил
докторскую диссертацию «Макроскопическая теория взаимодействия ультразвука с
волновыми возбуждениями полупроводников и магнитных диэлектриков», с 1987 года
— профессор.
Область научных интересов А.С. Бугаева: физика
конденсированного состояния, физика полупроводников, акусто- и спин-волновая
электроника, информационные технологии, коммуникационные системы.
В области акустоэлектроники А.С. Бугаевым были
созданы теоретические основы и проведено моделирование разогревных
акустоэлектронных явлений в полупроводниках и распространения акустических волн
в низкочастотных переменных внешних полях в условиях близких к резонансным, предсказано
возникновение в полупроводниках под действием ультразвука волн электронной
температуры, акустической перегревной неустойчивости.
А.С. Бугаевым проведен анализ принципиальных
особенностей приборов с акустическим переносом заряда, акустических линий
задержки и фильтров СВЧ-сигналов; построена теория взаимодействия
ультразвуковых колебаний с автоволновыми системами, волнами электронно-дырочной
плазмы, волнами пространственной перезарядки ловушек; в рамках
квазидинамической модели пространственнодвумерных процессов исследованы явления
переноса неравновесной электронно-дырочной плазмы полупроводников акустической
волной.
В области молекулярно-электронного переноса А.С.
Бугаевым созданы новые методы моделирования выходных характеристик
преобразующих элементов электрохимических датчиков движения, а также найдены
инновационные подходы к их созданию с применением современных прецизионных
методов изготовления микроструктур планарного типа на основе микроэлектронных и
лазерных технологий.
Обширный цикл исследований был выполнен А.С.
Бугаевым в области спинволновой электроники и магнитооптики: построена теория
взаимодействия быстрых упругих волн с магнитостатическими волнами в слоистых
структурах; предсказано возникновение связанных магнитоупругих волн и
возможность их фильтрации вследствие резонансного взаимодействия ультразвуковых
и магнитостатических волн; развиты теория и методики возбуждения гиперзвуковых
волн дипольно-обменными магнитостатическими колебаниями; предложены способы
усиления магнитостатических и быстрых магнитоупругих волн дрейфом электронов в
слоистой структуре феррит-полупроводник; изучены причины деградации и пути
повышения надежности и долговечности аморфных магнитных пленок, используемых
для реверсивной магнитооптической записи информации.
На основе работ А.С. Бугаева созданы приборы нового
типа: высокочувствительные детекторы акустических и магнитостатических волн,
СВЧ-резонаторы, генераторы и модуляторы, линии задержки, преобразователи,
полоснопропускающие и заграждающие фильтры, расширители и ограничители
динамического диапазона, устройства свертки, преобразования Фурье и
корреляционной обработки сигнала, способы исследования и измерения таких
параметров твердых тел, как пьезомодуль, константы деформационного потенциала и
магнитострикции, скорость звука, механизмы потерь и время релаксации энергии
носителей заряда.
А.С. Бугаев является научным руководителем Центра
открытых систем и высоких технологий — в Центре проводятся научные исследования
в области информатики; студенты и аспиранты обучаются теории и практике
разработки больших информационно-аналитических систем. Является также
заведующим лабораторией волновой электроники Института радиотехники и
электроники РАН, где проводятся исследования по физике низкоразмерных систем.
А.С. Бугаев является научным руководителем
Лаборатории дистанционного зондирования МГТУ им. Н.Э. Баумана, где ведутся
работы в области радиоголографии гигагерцового диапазона. Результаты этих работ
нашли применение в подповерхностной радиолокации, в новых системах
безопасности, в неразрушающем контроле диэлектрических композиционных
материалов, применяемых в аэрокосмической промышленности; в радиолокация
биологических объектов. В настоящее время под руководством и при активном
содействии академика Бугаева и в кооперации с учреждениями Минкульта РФ
разработанные технологии применяются для обследования объектов культурного
наследия в различных областях: от художественных произведений (старинных икон)
до египетских пирамид. Исследования, выполненные в лаборатории, нашли признание,
как в нашей стране, так и за рубежом.
А.С. Бугаевым подготовлено 9 докторов и 21
кандидатов наук.
Он опубликовал более 250 научных работ, имеет ряд
изобретений.
Главный редактор журнала «Успехи современной
радиоэлектроники», член редколлегий журналов «Прикладная физика», «Радиотехники
и электроника» и ряда других журналов РАН.
Избирался членом Президиума РАН, член Бюро Отделения
нанотехнологий и информационных технологий РАН, член Совета РАН по
инновационным проблемам транспорта и логистики, заместитель председателя
Комиссии РАН по работе с молодежью.
Вице-президент Российского научно-технического
общества радиотехники, электроники и связи им. А.С. Попова, председатель
Научно-технического совета по комплексной экспертизе инновационных проектов
правительства г. Москвы, член научно-технических советов ПАО «Газпром» и ОАО
«РЖД».
Состоял председателем Экспертного совета РФФИ по
информационным системам и телекоммуникациям, председатель Экспертного совета
ВАК по электронике, член Ученых советов МФТИ и ИРЭ РАН, трех диссертационных
докторских советов.
Член международной ассоциации специалистов в области
техники — Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), являющейся
мировым лидером в области разработки стандартов по радиоэлектронике,
электротехнике и аппаратному обеспечению вычислительных систем и сетей.
Лауреат премии Ленинского комсомола, лауреат
Государственной премии РФ и трижды — лауреат премии Правительства РФ.